机译:光子探测器中的死区时间和后脉冲对随机辐射的实测统计量的影响
机译:通过自由运行的单光子探测器检测超弱激光脉冲:建模死区时间和黑暗计数效果
机译:脉冲辐射引起的中子探测器死区时间效应的校正方法研究
机译:微型有源充电单光子检测器,采用0.18µm CMOS技术,具有6ns的死区时间,无后脉冲效应
机译:强子Z的最终状态辐射在LEP处用L3探测器测量到。
机译:来自像素阵列检测器的亚毫秒X射线光子相关光谱具有快速双选通且无读数死区时间
机译:通过自由运行的单光子探测器检测超弱激光脉冲:建模死区时间和黑暗计数效果
机译:光学死区效应的产生和统计特性